如何提高mdll在1M和3M处的性能

wpbuaa · 发表于 2017-10-17 09:48:41

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最近在做一个mdll，给射频pll使用，输出频率在200M附近，使用的是反相器结构的delay cell，仿真下来发现1M处有-120dBc,3M处在-113dBc,但是3M处需要-124dBc至少，对了电源电压1.1v,电路有功耗和面积限制。我看了文献觉得想要提高有两个途径，一个是提高信号幅度，一个是降低器件噪声，不知道大神们有其他什么好的建议没，在此多谢了！

lenovour · 发表于 2017-10-17 21:24:36

想知道你的应用是什么，为什么是需要－124dbC ？谢谢。

wpbuaa · 发表于 2017-10-18 15:12:43

回复 2# lenovour

应该是在蓝牙芯片吧，是做rfpll的人提的指标。我昨天提高了带宽压下来了一些，不过还是有几个db的差距

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