BCD高压工艺求助

d815856116 · 发表于 2017-7-14 17:10:48

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请问各位有没有用过这样一种BCD高压工艺，5V的普通MOS管，高压LDMOS，要求VGS，VDS都要耐高压，最高耐压大概24V左右，有用过的麻烦说下是哪家工艺厂，不甚感激

audiopa · 发表于 2017-7-16 14:40:27

HHGrace CV800GS40

d815856116 · 发表于 2017-7-18 15:39:00

回复 2# audiopa

谢谢，确定是栅源也能耐高压的吧？

hszgl · 发表于 2017-7-18 17:19:27

CSMC的HV 1U，LDMOS栅源可以有25V的耐压

d815856116 · 发表于 2017-7-18 17:32:25

回复 4# hszgl

0.5UM的工艺有吗？

hszgl · 发表于 2017-7-19 22:38:26

回复 5# d815856116

有0.25的BCD，标称可以达到，但我没试过。

andy2000a · 发表于 2017-7-20 10:02:01

请问各位有没有用过这样一种BCD高压工艺，5V的普通MOS管，高压LDMOS，要求VGS，VDS都要耐高压，最高耐压大概 ...
d815856116 发表于 2017-7-14 17:10

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BCD 一般 GATE 低压 . 有高压DMOS 还有代LDMOS 应该不多吧

d815856116 · 发表于 2017-7-21 09:36:38

回复 6# hszgl

谢谢了，已经拿到这个工艺的文件了，看了下是管子可以，不过这个工艺里面的二极管都写着不能工作在正向区域，电路中需要二极管工作在正向区域来防倒灌，除了用NPN代替，有没有其他办法，二极管需要过一定的大电流。

hszgl · 发表于 2017-7-29 15:41:23

回复 8# d815856116

防反接的Diode一般用片外，这么大的电流必须要垂直流向了。

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