我在定义AlGaN/GaN的无衬底的HEMT时候,在仿真Id-Vds的曲线的时候报错,Warning:Internal error in linear solver
This situation rarely occurs in normal circumstances......check sturcture and models for possible conflicts.
我用example里面的ganfet的模型去加在我的结构上的, 应该不是模型的错误,但是如果是结构的错误的话,是因为没有衬底吗?我把传统的HEMT的衬底去掉后用一个自己定义的电解质材料去充当的衬底,有1nm厚,因为我要去模拟测试DNA这个层就是等效的。