在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1852|回复: 2

[求助] thicker gate oxide HVMOS or thin gate oxide LDMOS

[复制链接]
发表于 2017-5-30 17:06:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一直弄不明白在一些电路中是如何选择使用 Thicker gate oxide HVMOS 或者 thin gate oxide LDMOS。
HVMOS主要就是可以gate上面直接加高电压,但LDMOS只能是drain上高压,gate上一般是vdd。

请问什么电路一定需要HVMOS,什么电路LDMOS就可以。好像一般的non-volatile memory 或者 LCD driver的开关都需要HVMOS, 为何不能用LDMOS代替呢?

望不吝赐教。
发表于 2019-1-15 20:26:59 | 显示全部楼层
同问同问
发表于 2019-5-22 10:35:06 | 显示全部楼层
Driver芯片中高压电平移位电路一般用LDMOS,Drain耐高压,source接地,gate接低压vdd
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 18:40 , Processed in 0.016989 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表