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楼主: fc7744

[讨论] 请教解读TLP 报告,

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发表于 2022-5-20 22:05:06 | 显示全部楼层
Hefei CXMT 正在招 ESD 方面的人才,欢迎加入
发表于 2022-5-21 10:58:59 | 显示全部楼层


Scott2885212 发表于 2022-5-20 22:05
Hefei CXMT 正在招 ESD 方面的人才,欢迎加入


怎么联系?
发表于 2022-5-22 03:56:59 | 显示全部楼层


我的邮箱531254109@qq.com  VX: E-e-mc2  ,直接联系我, 或留下你的联系方式
发表于 2022-8-31 15:00:21 | 显示全部楼层


amestigon 发表于 2017-5-24 13:51
如果這是 ESD 保護原件的 TLP 結果, 那就不是很好了
VT1 跟 VH 差距太大


请问Vt1跟VH相差太大,为什么会不好?能详细解释一下吗,谢谢。
发表于 2022-8-31 15:04:05 | 显示全部楼层


翔子zkx 发表于 2020-3-30 19:51
一般情况下:
Vt1要在被保护器件的BV附近;Vh要大于Vop。从这张TLP曲线来看能力挺强的,就是回扫电压Vh有点 ...


请问BV是什么?为什么Vt1要在BV附近比较好。  还有就是,如果Vh小于Vop,是不是会导致漏电流很大?Ron是不是可以根据此ESD器件在小电压偏置情况(如0.2V),除以对应的漏电流(上方横轴电流值),得到的电阻值?非常感谢。
发表于 2022-10-18 15:31:52 | 显示全部楼层


海阔天空——飞 发表于 2022-8-31 15:04
请问BV是什么?为什么Vt1要在BV附近比较好。  还有就是,如果Vh小于Vop,是不是会导致漏电流很大?Ron是不 ...


[url=]breakdown voltage ,VT1 在被保护器件BV附近,ESD比较好做。被保护器件正常工作时ESD不开启,击穿之前ESD开启。[/url]
发表于 2022-10-21 11:14:11 | 显示全部楼层


玖君00 发表于 2022-10-18 15:31
breakdown voltage ,VT1 在被保护器件BV附近,ESD比较好做。被保护器件正常工作时ESD不开启,击穿之前ES ...


感谢答复。 请问VH应该是ESD工作时最低钳位电压,这个电压要比VOP高,VOP是芯片最高工作电压吗? 如果VH>VOP,那么在ESD工作时,芯片内部电压不就超过VOP了吗?此时如何保证电流满足电压应力要求? 请赐教,谢谢。
发表于 2022-10-21 13:17:24 | 显示全部楼层
Vh有点小,可能有触发LU的风险
发表于 2022-10-25 22:14:24 | 显示全部楼层
Vt1 太高了, 不利于ESD device的触发
发表于 2022-10-28 15:43:21 | 显示全部楼层


海阔天空——飞 发表于 2022-10-21 11:14
感谢答复。 请问VH应该是ESD工作时最低钳位电压,这个电压要比VOP高,VOP是芯片最高工作电压吗? 如果VH> ...


image.png
看这个,触发电压和维持电压要比电路工作电压大,比被保护器件的极限耐压小。
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