求各位大神解答LDO供电给SRAM的问题

xiaoqi_s · 发表于 2017-4-26 18:10:44

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当SRAM读写时会有很大的电流抽取，可能有几个安培，这时可能会导致LDO输出电压瞬间下降，导致SRAM数据清空。LDO挂的是片外电容。请问有什么解决办法或者，这个LDO 很难做么？

chenxiliang · 发表于 2017-4-26 19:49:13

挂更大的电容。

QQben · 发表于 2017-4-26 21:29:43

谢谢分享

kdb1993227 · 发表于 2017-10-29 13:23:17

不懂。。。。

bayvoice · 发表于 2017-10-29 13:54:42

有时候package bonding limited的话，片外电容再大也不管用。片上还是需要一些电容。

如果读写动作准确捕捉得到的话，可以做个电流补充一下，这样需要的电容可以小点。

捉不到的话，做点slew rate enhancement之类的电路也能有帮助。不过也要看你工艺是否成熟，model是否足够准。

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