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Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview: From Basic Concepts to Novel Technologies --- 场效应晶体管,综合概述:从基本概念到新技术 本书讨论了现代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和晶体管器件的未来趋势。
本书通过讨论FET的基本原理并探讨该领域的最新技术发展,提供了场效应晶体管(FET)的概述。它涵盖并连接了与半导体器件物理,晶体管物理和先进晶体管概念相关的广泛主题。这本书共有六章。第1章讨论电子材料和电荷。第2章检查半导体结(junctions),讨论热平衡下的触点,金属 - 半导体触点和金属 - 绝缘体 - 半导体系统。第3章涵盖传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。第4章描述了MOSFET的尺寸驱动技术变化和新颖尺寸。第5章分析异质结场效应晶体管(FET),并讨论了异质外延的挑战和优点。最后,第6章在分子尺度上检查FET。
将当代晶体管器件的讨论链接到物理过程
包括已经在本科和研究生课程中对集成电路组件的设计进行了类测试
包含示例和章末末尾的问题
《场效应晶体管,综合概述:从基本概念到新技术》是高级本科生/研究生和专业工程师需要深入了解现代FET的操作物理的参考。
下载地址:http://www.cloudioe.com/resources_details.aspx?id=6665 |