模拟集成电路设计精粹 0251 ppt

limaoze39520 · 发表于 2017-3-13 22:39:26

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

willy sansen 0251

各位大侠，我始终不明白willy Sansen这里讲的ids为什么会随着RL的增大而增大，IL不是应该和ids相等吗？另外拐点RL=RLC=gm*rds*Rb是在什么条件下确定的呢？

limaoze39520 · 发表于 2017-3-14 08:36:42

回复 1# limaoze39520

千万别沉下去了，也许这里有我或者很多人的理解误区，希望有人指点。

liushaohua116 · 发表于 2017-3-15 10:48:41

回复 1# limaoze39520

从MOS管源极往上看的小信号电阻为(RL+rDS)/(1+gm*rDS)，电路可以等效看成内阻为RB的电流源与这个电阻的并联。（1）当RL很小时，这个电阻很小，电流基本都从这个电阻（约为1/gm）流过，此时iL=i(in)。随着RL逐渐增大到gm*rDS*RB，这个电阻约为RB，出现拐点。
（2）同理，我们可以看MOS管源极的电压。当RL很小时，这个电阻很小，源极电压很小，ids = -gm*VS很小。随着RL逐渐增大，这个电阻变得比RB还大，假设电流全部流过RB，源极电压为-i(in)*RB，那么ids = gm*i(in)*RB。

最近想换工作啊，脑袋一团浆糊。有错误的话，请指正！

limaoze39520 · 发表于 2017-3-16 15:10:14

回复 3# liushaohua116 感谢您的细心解答，您的解答完全正确。这里从源极往上看的电阻在Allen书中165页有讲，我只是觉得willy ppt中的i(in)应该表明是小信号。这样不至于产生误解，不过也就是我这样的半吊子才容易误解

zm2903003030 · 发表于 2017-7-13 15:02:27

学习了

dan1028 · 发表于 2017-7-13 18:04:17

IB可以无视，完事变成阻抗分压。。。学习了

onlyhj · 发表于 2018-7-14 14:12:54

学习一下

银河水晶 · 发表于 2018-8-23 10:57:25

能把电子档资料给我一份吗？谢谢也在学习这本书好多不太懂的地方可以一起交流吗

yangcqupt · 发表于 2021-12-12 12:13:32

谢谢分享！

[求助] 模拟集成电路设计精粹 0251 ppt

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。