开关电源低边MOS管驱动信号扰动

tyb0220

设计一个开关电源（Buck），发现在低负载时整体功耗偏大，效率偏低，设计描述如下：
设计输入电压范围：（9~32V），
满负载输出电流I=6A；
开关频率：f=326KHz。
工作时电流范围：390mA~2.5A

测试发现，低负载（32V、390mA）条件下，整体功耗偏大，效率偏低；
实测低边MOS管驱动信号在LO（绿色）；在高边HO（黄色）MOS管驱动信号跳边时，
存在扰动，该扰动会导致低边MOS管开启（扰动信号峰值：5.3V、谷值：-8.3V）；
从而出现两个MOS管直通的现象，目前无法解决，特在此请教各位坛友:
1、如何干掉该扰动振铃信号？
2、如何提升低负载效率？

测试图片参见附件（绿色为低边LO驱动信号，黄色为高边HO驱动信号）
外部两MOS管都采用IRLR3705，部分参数参见附件

phoenixson

L串一个电阻 不知能否改善

tyb0220

回复 2# phoenixson


  目前两个驱动信号HO、LO之前都已经串联了一个3.9欧的电阻

phoenixson

回复 3# tyb0220


    试试串大一点是否能改善

z1314007

把串在HO的电阻改成串到最后一级driver的电源上试试

AcoAco

LO栅极驱动阻抗高。 当公共漏极转变为从低到高时：LO晶体管Cgd拉动LO晶体管的栅极。 两个晶体管瞬时导通。
解决方法增大LO晶体管的栅极驱动器的尺寸。


LO gate drive impedance is high. When the common drain transitions to low to high: the LO transistor Cgd pulls the gate of  LO transistor. Both transistors are turned on instantaneously.
SOLUTION:  Increase the size of the gate drive of the LO transistor.

Good luck!

tyb0220

回复 5# z1314007


    最后一级driver的电源上是指？（该两个驱动信号由集成电路驱动）

tyb0220

回复 6# AcoAco


    不谋而和啊，“Cgd拉动LO晶体管的栅极”，我隐约记得曾经看过一篇文章，就是说这种情况下会强行开启MOS管，至于原理忘了；
主要是不知道怎么解决，兄台这方面相关文档可以共享一下么？
有没有具体的解决方案建议？

peterlin2010

回复 8# tyb0220


    前说法
a.  是 hi-side Turn-on 时 Low side端MOS 因为 CGD 藕到 gate .
LO driver low side driver 对地有电阻吗??
或是 MOS Qgd 22nC  找小点

b.  另个说的 driver的电源上试试 => 指 gate driver power 串R
  降低 hi side driver 能力 .

a 比较有效

MORE SEE

US20060273379A1

tyb0220

回复 9# peterlin2010
首先非常感谢你详尽的回答！ 谢谢..........
对于的你的问题：
1、LO driver low side driver 有对地的电阻，至于更换器件，现阶段是先解决问题，后续肯定要替换，目前我已在寻找MOS管了
2、串R降低 hi side driver 能力，我仿真试过，没有效果；但是实际测试没有进行过，回头我试下看，
3、请问这个US20060273379A1专利哪里可以下？或者能不能给我分享一下（邮箱：tydqzghn@163.com） 非常感谢！
附件是之前建模仿真的图片，与实际情况差不多