问一下耐压level shift电路MOSFET的衬底应该怎么接？

大爷比利亚 · 发表于 2016-11-13 14:13:26

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看论文看到这个典型的level shift电路，输入一个高电平为vdd的方波，可以产生一个高电平为2vdd，低电平为vdd的方波，同时所有管子都在正常的电压范围内（0~vdd）
4285.tm.png

可是中间那个NMOS管，漏端电压可以达到2vdd，要是衬底接地的话，源衬电压不就是2vdd了，管子不会被击穿吗？
还是说源衬是接在一起的？那是不是得用双阱工艺才行？一般的如果是单阱工艺，p衬底n阱的话，是不是就没有办法用了？

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