sentaurus GaN HEMT 仿真

liujian_199006 · 发表于 2016-6-16 15:00:47

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求助：本人在做GaN HEMT 击穿特性仿真时，发现仿真出来的曲线感觉是器件的漏电曲线，无法得到器件的击穿曲线？而且在仿真中发现如果沟道层不加trap器件关不断！请问大家遇到过这样的问题吗？或者有GaN HEMT击穿的实例吗？

qhesen · 发表于 2017-1-9 19:01:52

唉，我也是在做这个问题，也是仿真不出来。仿出来的曲线是由隧穿造成的，如果不加隧穿效应的话，还仿真不出来，不知道为什么始终不能造成雪崩击穿。想过是输入command文件有问题，可是怎么改都不对，查看parameter文件，GaN的参数很少，有些还不准确，简直坑。不知找了多长时间，就是找不到GaN HEMT击穿的实例

xiaoguan · 发表于 2020-9-15 15:18:33

请问你们加了隧穿模型是哪一种呢？加了隧穿后是否遇到了仿真不收敛的情况？谢谢了

[求助] sentaurus GaN HEMT 仿真

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