在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: 伪曾哥

[求助] 关于mos二极管,若在栅漏之间加个电阻不直接短接会怎样

[复制链接]
发表于 2018-3-7 16:43:04 | 显示全部楼层
负载栅极电流为零,因此负载的栅极和漏级电压相同,
      这样输出直流电压Vds就和Vgs就相等。只要电流不变,负载mos管的宽长比不变,负载管的Vgs就不变,这样就是Vds不变,结果就是输出直流电压稳定。
     试想如果没有这个电阻,那么输出直流电压就是Vds,这个值是随着负载阻抗变化的。(有点牵强,谁可以再解释一下)
    再者假如直接短路mos管的栅漏极,这样Vds和Vgs相同,但是负载电阻就变小了,为1/gm,结果就是增益下降。
发表于 2021-8-16 10:30:21 | 显示全部楼层
不是太理解,栅漏之间接电阻的基础上负载阻抗变化Vds也会变化,而且加上栅漏极电阻之后从漏端看进去的电阻是(1/gm)//R,反而是变小的
发表于 2021-9-2 20:19:05 | 显示全部楼层
我认为没加电阻之前,是二极管连接,等效阻抗为1/gm//rds,加了隔离电阻之后,MOS的栅极为交流地,等效阻抗变成rds//R,其为阻性共模反馈,可以稳定输出直流电平,另一个作用是提高差模增益,而共模增益不变,所以可以提高共模抑制比。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-27 12:12 , Processed in 0.014817 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表