关于耗尽型与增强型mos的差异

sea123321123 · 发表于 2015-8-23 18:16:59

本帖最后由 sea123321123 于 2015-8-23 18:18 编辑

关于耗尽型mos与增强型mos，除开Vth一个为负，一个为正以外，还有什么差异？比如Un,Cox。Cgs,Cgd等寄生参数

为何电路中(paper和书上)很少看到使用耗尽型的管子？

对于大功率功放，是否可以使用耗尽型nmos管？

请大牛们赐教！

jacques_dufour · 发表于 2015-8-23 18:17:00

GRAY书上有提到，感觉用得少是因为一来总觉得MOS的应用总是源于它带有的开关特性，一个负阈值的MOS总不会是太好的控制的选择；二来生产应该会多一层，因为掺杂不一样，价钱也不一样吧。应用上，功率管不太了解，超低功耗设计上倒是神器
个人理解，待牛人详解

semico_ljj · 发表于 2015-8-23 21:37:22

你只要知道它基本原理就成！

耗尽型多用在功率管

sea123321123 · 发表于 2015-8-24 20:01:48

回复 2# semico_ljj

就是不太清楚耗尽型的基本原理，书上讲得比得粗略，也没有讲耗尽型寄生参数的相关知识。耗尽型多用于功率管，这是为什么呢？

xiaowanzi88 · 发表于 2015-8-25 18:26:59

回复 2# semico_ljj

请教一下大神!如果耗尽管采用于功率管,对于这个-1V左右的阈值电压,如何关断MOSFET?

2002358124 · 发表于 2015-8-26 14:00:30

回复 2# semico_ljj

你好，请问为什么功率管喜欢用耗尽型？有什么特殊的好处吗？

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