设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › Sansen模拟集成电路设计精粹中用的工艺是什么工艺 ...

发新帖

查看: 1753|回复: 0

[求助] Sansen模拟集成电路设计精粹中用的工艺是什么工艺

发表于 2015-8-19 22:22:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

如图所示：第1章：0139 无标题.png

无标题.png

这里的的IDsat，用的IDsat的值为0.2uA，当ID=0.1uA时，VGS的值为VT。
这里用的是哪一代的工艺呢？看书不认真，没看到哪里写有缺省工艺。
还有，后面的 VGS-VT=80mV，是弱反型到强反型的真正的转变点，ID=2 IDsat。这是不是跟工艺相差呢？
这个转变点有没有用呢？如果有用，那为啥一般都要求 VGS-VT要至少大于150mV

集成电路, 如图所示

相关帖子

回复

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 21:48 , Processed in 0.031741 second(s), 11 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表