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查看: 4569|回复: 10

[求助] 如何用n阱的数据层生成p阱的数据层呢??

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发表于 2015-8-12 20:37:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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版图出数据,导出GDS时,只有N阱的数据层,但是FAB厂要求提供P阱 的数据层,规则中P阱的数据层是由n阱的数据层生成的,有一个计算的公式,请问各位大侠如何用n阱的数据层生成p阱的数据层呢??如何导出p阱的gds?
发表于 2015-8-12 22:36:40 | 显示全部楼层
妈呀,你这是哪个fab.....
这些公式都是fab提供好不,他还有X问你们要
发表于 2015-8-13 11:05:24 | 显示全部楼层
说一下是哪个FAB厂

回复 1# wangboxxf
发表于 2015-8-13 11:56:03 | 显示全部楼层
好誇張的FAB
发表于 2015-8-13 12:56:16 | 显示全部楼层
In most CMOS process (not HV, such as LDMOS), PW should be generated by logic operation. If foundry really need us to provide PW data, we could just draw a small PW layer in layout (this PW will be tied to substrate) then gds will include PW stream information.
发表于 2015-8-28 16:23:48 | 显示全部楼层
工具栏上不是有个 Create>Layer Genenation 直接逻辑操作生成
发表于 2015-8-28 16:40:56 | 显示全部楼层
请问芯片数据送出没有?期待测试结果啊,有结果回复一下,现在的工艺厂真让人担心啊


回复 1# wangboxxf
发表于 2015-9-9 21:53:49 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2015-12-16 17:41:13 | 显示全部楼层
回复 6# fzu_physics
真是晕到,你这个只是简单的AND OR等逻辑运算,跟人家说的是两码事!
 楼主| 发表于 2017-7-11 19:39:11 | 显示全部楼层
谢谢大家的热心解答,原来是虚惊一场,FAB去生成所需数据,不需要我们提供。
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