TSMC 0.18工艺，Varactor电容询问

zsmic · 发表于 2015-7-24 10:14:24

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5V工艺，有一种电容类型：在N阱上做了个Nmos，SD接一起接vss，GATE接高电位，这种电容原理是什么。

灌篮高手 · 发表于 2015-8-7 09:53:44

是耗尽型的吧

heruizhou · 发表于 2015-8-7 17:20:35

对前端而言，这种电容Q值会更好；
平时我都是这样理解的，这种电容实际上就是普通的nmos，加入了一道离子掺杂的工艺（nwell），可以改变这个mos管的阈值，漏电流也会更好；
不光是TSMC 0.18um有这种管子，所有的cmos工艺都会存在这种device，只不过看foundary有没有提供spice mode而已；

shkao0201 · 发表于 2015-8-7 17:26:55

學習了

tricia · 发表于 2017-7-11 14:45:25

这种MOS电容是不需要阱电位的

账户已登录 · 发表于 2018-10-22 11:28:10

回复 5# tricia

有阱电位的，和noms source drain电位相同，n型diffusion给n阱提供电位

账户已登录 · 发表于 2018-10-22 11:30:58

回复 6# 账户已登录
按照楼主的接法n阱和vss电位相同，这种电容要注意隔离否则容易发生latch

LINYOUJIE · 发表于 2021-1-12 15:11:09

it's accumulation mode MOSVAR that devices always work at accumulation region.
1. when VB=0, with VG increasing, higher VG attracts electrons from NWELL to form movable negative channel.
2. when VG fixed, with VB increasing, the movable negative channel is away from Gate.
3. when VB is connected to the highest power(=VDD), the distance of Gate and movable negative channel is longest with lowest capacitance.

The accumulation mode MOSVAR exhibit best Cmax/Cmin ratio and lowest parasitic resistance, but shows poor linearity

xmyshine · 发表于 2021-1-12 21:05:44

学习了

linkx · 发表于 2024-11-14 16:42:32

学习学习

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