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当芯片行业正处于 14nm 往 10 nm 的转型期，IBM 用 7nm 抢占了媒体的头条。
据多家外媒消息，IBM 近日向外界展示了 7nm 制程的芯片样品。这项技术并非由IBM 一家研发，GlobalFoundries、三星和纽约州立大学理工学院纳米工程都是合作伙伴。
至于 7nm 制程在技术上的实现，IBM 半导体科技研究部副总裁 Mukesh Khare 表示，研发团队采用了硅锗（silicon germanium）作为材料，而不是原有的纯硅，并利用了极紫外线（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻技术。
相较 10nm，7nm 制程的面积缩小近一半，但因为能容纳更多的晶体管（IBM 宣称能超过 200 亿个），性能提升了 50%。此外，功耗也会降低。
（IBM 展示的 7nm 制程芯片样品）
国内外不少媒体都对IBM 所取得的成就给予了极高的评价，《纽约时报》相关报道最初的标题是： IBM Announces Computer Chips More Powerful than Any in Existence（IBM 发布的电脑芯片比现在所有的都要强大），Ars Technica 的标题也用了“Beyond Silicon”这样的字眼，国内的一些媒体更是直言“IBM 打了英特尔的脸”。
然而，IBM 的 7nm 芯片还只是一个实验室产品，并且采用的是昂贵的硅锗材料，极紫外线光刻技术也很有技术难度，这使得IBM 的 7nm 芯片制作成本过高，在民间推广遥遥无期。IBM 方面也表示，7nm 芯片的量产和商用都没有准确时间表。
也许是意识到自己的标题有点言过其实，《纽约时报》将标题改成了更加准确的： IBM Discloses Working Version of a Much Higher-Capacity Chip（IBM 发布了还处于实验室阶段的高性能芯片）。
事实上，英特尔对 7nm 的研究我们也早有耳闻。英特尔前任 CEO Paul Otellini三年前就表示，英特尔已开始对 7nm 和 5nm 制程技术的研究。 今年 2 月份的ISSCC 国际固态电路研讨会上，英特尔的高级研究人员 Mark Bohr 也谈到，英特尔无需借助极紫外线光刻（EUV）这种高深的制造技术也能实现 7nm 制程工艺，并且计划于 2018 年推出 |
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