请问ESD保护做到15000V应该采用什么结构？

ffqq · 发表于 2007-4-19 11:20:21

还有包括N+ P+与阱的间距？

ffqq · 发表于 2007-4-19 14:57:39

semico_ljj和casdvo，你好!你们设计过SCR结构吗？他的触发电压和最大工作电流是由什么参数决定的？谢谢啊！

sjxu007 · 发表于 2007-4-19 15:56:28

在N阱工艺中，用一个NMOS串联一个Nwell电阻，中间再加一个PTAP用来trigger SCR。就是这个结构。

semico_ljj · 发表于 2007-4-19 16:10:44

参数其实不懂，按照论文提供的结构尝试一下！
现在还很缺经验和数据的！

ffqq · 发表于 2007-4-20 11:43:13

是啊，如果我这边有什么进展我就发上来

mountainboy · 发表于 2007-5-31 10:56:39

牛人很多，虚心请教学习中

netking · 发表于 2010-1-5 20:54:10

Thanks & Great

ding0218 · 发表于 2010-1-5 21:21:06

请問一下是成品or IC

dilyyao · 发表于 2011-6-3 15:14:56

正好需要这个，有经验的请多指教

dilyyao · 发表于 2011-6-21 17:08:09

正好需要这个，有经验的请多指教

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