sentaurus sprocess pHEMT 工艺仿真

tsyijiuyt · 发表于 2015-6-3 19:30:08

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有人用sprocess仿过 pHEMT 么？感觉跟硅工艺差别很大啊。本人接触sentaurus 没多久，再次求教。仿真过程中主要有以下几个问题：
（1）除了substrate 层，GaAs，AlGaAs 和 InGaAs等层都是deposit 上去的么？相关材料的参数怎么设置？
我尝试deposit 上去，主要遇到以下几个warning:
(a) no thermal expansion coefficient change rate for substrate material given. Assuming silicon
(b) Missing mechanical parameter for InGaAs(defaults applied instead)
（2）离子注入还是用 implant，常数掺杂怎么实现？delta 掺杂又如何实现？

cqdixon · 发表于 2015-6-3 21:50:56

谢谢分享

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