后仿正确，为何流片后，实测有误差？TSMC工艺

jimipage · 发表于 2015-5-26 21:38:51

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芯片Pin输入电压经400ohm电阻后，与芯片内的通过带隙buffer后的电压(0.3, 0.25)迟滞比较。
后仿是正确比较出结果，但是为何流片后会到0.45v才能输出逻辑，迟滞也不对，差个30mV？
台积淀工艺阿。！！！

hszgl · 发表于 2015-5-26 21:48:45

是个别现象还是全部现象？有没有在工艺角偏差范围内？匹配和寄生是不是考虑到位？
仿真不是万能的。

semico_ljj · 发表于 2015-5-26 22:01:39

描述还是要具体，电流多大，400OHM会有偏差嘛，
buffer后的电压(0.3, 0.25) 这个准不准[貌似基准出来要么0.3,要么0.25,这个有50mV误差，还是大了一些]

semico_ljj · 发表于 2015-5-26 22:02:24

最好有个基本结构，示意图

semico_ljj · 发表于 2015-5-26 22:04:32

补充一句，只要不是高频，不要依赖后仿。一些比较器和基准，后仿不能给你增加保险系数，如何做到减少量产的工艺偏差以及温度、应力等特性才是关键

victor0o0 · 发表于 2015-5-27 09:50:45

和MC simulation比较如何？

alienwarexie · 发表于 2015-5-27 11:41:44

仿真与实际有差距是正常，主体要找原因。

m2ic · 发表于 2015-5-27 15:17:33

芯片Pin输入电压经400ohm电阻后，与芯片内的通过带隙buffer后的电压(0.3, 0.25)迟滞比较。
后仿是正确比较 ...
jimipage 发表于 2015-5-26 21:38

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后仿做全了吗？是整个芯片做的还是只是block。。。

jimipage · 发表于 2015-5-29 09:37:04

是测的问题，
OK了。

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