在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3822|回复: 2

[求助] MOS管深线性区

[复制链接]
发表于 2015-5-16 16:36:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
书上说,Vgs-Vth >>Vds, N-CHANNLmosfet进入深线性区,请问Vds应该比Vgs-Vth小多少才能算是<<呢?
ADE中可查看的region只显示0 1 2 3, ,并不对线性区和深线性区做区分,想要设计一个深线性区的管子做有源电阻,应该如何判断其是否偏置在深线性了呢?

然后如何对其线性度进行仿真,判断其线性度好不好呢?

谢谢!!!
发表于 2015-5-16 23:21:01 | 显示全部楼层
vds越小,应该是深线性吧。把vds设为变量,扫描vgs》vth情况下的gds值就可以了。
发表于 2015-5-17 07:22:01 | 显示全部楼层
好高深,谢谢,学习下
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-17 07:24 , Processed in 0.015683 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表