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关于版图设计时的一些疑问

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发表于 2006-5-29 15:12:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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关于版图设计时的疑问
以下是版图中四个层次的描述,本人是初学者,不大清楚如何通过这四层去定义n,p管有源区?AA和SP,SN的关系?以以及在做井接触和衬底接触时到底用那一层?哪位热心人能否指点一下,,有没有版图可以发给我看看?谢谢!!
AA: Active Area
AR :Reverse Active Area
SP + implant
SN :N+ implant
发表于 2006-5-29 15:56:49 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

AA  指的是你画的版图的有源区;
AR  是你画版图的时可能用不到的一层,一般会自动生成的;
SP  是把你画的一个MOS画出来表明你画的管子是PMOS;
SN  是把你画的一个MOS画出来表明你画的管子是NMOS;
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 楼主| 发表于 2006-5-31 12:09:43 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

谢谢你的回帖,还是有点不大清楚,是不是管子的有源区是同时有AA,SP(SN)同时定义的?SP(SN)是不是一定要在AA的外围一周?那么井接触和衬底接触该怎么定义?同管子的有源区一样定义?还是仅仅只要用到SP,SN?
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发表于 2006-6-2 15:55:24 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

AA+SP are used for substrate of NMOS transistor
AA+SN are used for n-well;
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发表于 2006-6-17 12:20:55 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

AA听起来好象是OD,不知道什么地方叫AA?
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发表于 2006-6-20 09:15:25 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

AA和TSMC的OD应该就是一个东西。
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发表于 2006-6-20 13:38:53 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问



   
下面引用由hejin17952006/06/02 03:55pm 发表的内容:
AA+SP are used for substrate of NMOS transistor
AA+SN are used for n-well;

不对吧!
AA+SP是P管的源漏区 ,AA+SN 是N管的源漏区。
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发表于 2006-6-23 08:46:44 | 显示全部楼层

关于版图设计时的一些疑问

Here AA+SP,AA+SN are used for substrate connection, not for diffusions connection of transistors.
Btw,I agree the upper opinion: AA of SMIC is the same as OD of TSMC.
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发表于 2006-8-12 19:47:12 | 显示全部楼层
版图中AA表示有源区,也就是要做MOS管的源漏区的地方,MOS管分NMOS和PMOS,所以如果你在有源区注入N型掺杂就会形成N管,注入P型就为P管,有源区(也称oxide OD)单独是构不成管子的,只是用来确定工艺中注入的区域的^_^
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发表于 2006-8-12 21:58:04 | 显示全部楼层
AA就是OD,不同的叫法
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