|
|
发表于 2015-7-23 17:50:48
|
显示全部楼层
|
回复 1# ailian_0001
1.ESD防护器件有很多种:Diode/NPN/GGNMOS/GCNMOS/SCR/RC+INV+NMOS等等(当然还有类似的PMOS),针对不同的器件Layout的处理方式也不一样2.你所说的版图处理方式多见于GGNMOS/GCNMOS, SCR也会这么做,我们会故意把drain/source contact to gate spacing拉大,带有salicide的工艺还会在drain区域把salicide的deposition block掉, 这样做的目的是为了在drain端加入一段diffusion电租(这个家伙叫Ballast resistor)用以改善ESD器件的导通均匀性,同时ESD器件本身也需要有足够扩散面积来耗散ESD发生时带来的power.
拙见,欢迎指正,谢谢 |
|