偶然看到一个MCU的RC OSC spec,不知1%是怎么实现的

reckoner · 发表于 2015-3-3 14:52:00

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有无大神指点下？

victor0o0 · 发表于 2015-3-3 17:01:41

一次校准之后，频率随V，T变化±1%还算好做吧

semico_ljj · 发表于 2015-3-3 18:57:52

数字校准

reckoner · 发表于 2015-3-4 13:51:28

回复 2# victor0o0

整片wafer的die RC 随温度变化1%都可以实现吗?

brightorange · 发表于 2015-3-4 14:04:06

有人把振荡器用带隙基准的思路做，进行温度补偿，例如一个基准电流给电容充电。

victor0o0 · 发表于 2015-3-4 15:03:31

回复 victor0o0

整片wafer的die RC 随温度变化1%都可以实现吗?
reckoner 发表于 2015-3-4 13:51

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可以啊，这东西本来就只受RC温漂影响，也就R温漂稍微大些。

reckoner · 发表于 2015-3-5 10:01:48

回复 5# brightorange
补偿后的电流全wafer 下也会超过1%啊

reckoner · 发表于 2015-3-5 10:03:37

回复 6# victor0o0
那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗？一致性不好也会超出1%啊。

victor0o0 · 发表于 2015-3-5 15:17:50

回复 victor0o0
那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗？一致性不好也会超出1%啊。
reckoner 发表于 2015-3-5 10:03

登录/注册后可看大图

corner下电阻率变化主要与掺杂，厚度有关，加起来±30%，温漂只和掺杂有关，偏不了多大

yjj_123 · 发表于 2022-8-22 09:13:23

brightorange 发表于 2015-3-4 14:04
有人把振荡器用带隙基准的思路做，进行温度补偿，例如一个基准电流给电容充电。 ...

哥，这种的靠不靠谱啊

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