串联两个nmos管导致压降太大应该怎样解决

249616569 · 发表于 2014-12-27 15:23:01

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第一可以修改结构，，这个方法试过几次改不出只串联一个nmos管的结构
第二个方法是改参数，听说改宽长比可以，具体怎么操作？？

还有什么方法呢

sea11038 · 发表于 2014-12-27 19:20:16

1.一条支路上串联的两个NMOS管，可以合并成一个管子的；2.宽长比你不会改吗？
不知道你说的是什么电路，要干什么用的，你问的问题的有问题，回答起来我感觉自己的智商都瞬间低了。。。

kjlin007 · 发表于 2014-12-30 08:38:46

沒電路圖可明確說明到時候回答起來牛頭去對馬嘴

kjlin007 · 发表于 2014-12-30 08:40:31

樓主下次問問題最好像教課書上一樣有圖片並且標明symbol name這樣大家才不會說錯

残桥挂月 · 发表于 2014-12-30 08:57:26

上电路吧

azeee · 发表于 2014-12-30 09:30:36

增加第一个管子的宽长，相同电流下减小VGS，从而减小过驱动电压，达到减小进线性区最小的VDS电压，这样就能减小电压余度。。

但从楼主说明的情况来看，我估摸着楼主是调偏置的问题。电压余度不是太低的VDD，一般没问题

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