Asymmetric LDMOS 可以做传输门么？

istart_2002 · 发表于 2014-10-30 22:54:04

Asymmetric LDMOS的S,D只有一端耐高压，可以做传输门么？
QQ圖片20141030230113.jpg

mpig09 · 发表于 2014-10-30 22:54:05

Hi istart_2002:

You need to check VGS when the X=Y is meet device property or not.

EX: VGS needs < 5V
you need to check it.

mpig

真我个性 · 发表于 2014-10-31 08:48:22

LDMOS导通电阻Ron会很大吧

jiang_shuguo · 发表于 2014-10-31 11:11:03

满足性能，满足耐压，都可以做传输门。但是不是最优就得根据实际情况了。

istart_2002 · 发表于 2014-10-31 11:21:16

Hi istart_2002:

You need to check VGS when the X=Y is meet device property or not.

EX: VGS nee ...
mpig09 发表于 2014-10-31 08:41

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vdd is 22v, vgs needs <24v. the problem is vds.

istart_2002 · 发表于 2014-10-31 11:23:38

LDMOS导通电阻Ron会很大吧
真我个性发表于 2014-10-31 08:48

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普通管不耐压啊

istart_2002 · 发表于 2014-10-31 11:26:14

满足性能，满足耐压，都可以做传输门。但是不是最优就得根据实际情况了。
jiang_shuguo 发表于 2014-10-31 11:11

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不对称高压管只有一端耐高压，传输门两边电压反过来，不就不满足耐压了么～

mpig09 · 发表于 2014-10-31 11:40:20

Hi istart_2002:

How about the vds voltage, is it < 22V?

mpig

jiang_shuguo · 发表于 2014-10-31 12:42:44

回复 7# istart_2002

我有没说你这个满足耐压，你看下你的标题，谁知道你怎么用。

kwankwaner · 发表于 2014-10-31 16:49:52

多半不可以，你要看传输门关闭时候可能见到的最大vds

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