使用BCD工艺的LDMOS做H桥的疑问

发表于 2014-10-15 10:02:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 iboywade 于 2014-10-16 11:03 编辑

目前要使用BCD工艺做驱动电路的设计。我看了一些datesheet中他们在H桥的上面两个nmos管子使用了电荷泵的电路提高栅极电压，还有的是直接在H桥的电源上面加了电荷泵，对这种方法不是很理解。

这里电荷泵直接加到H桥电源上

但是目前我使用的BCD工艺中 VDS的耐压最高可以到40V， G的耐压为5V，(这个5V是否是最大耐压值)
那么我要怎么去设计H桥上面两个nmos管的栅极电压

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