大跃进！GF三星台积电已部署1x纳米工艺

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制程工艺的升级可以称得上是现代半导体革命的标志之一，英特尔早在两年前已经领先业界实现22纳米制程的商业化，准备明年跨入14纳米制程。台积电、三星电子、GlobalFoundries这些全球知名的晶圆加工厂也在各自发力，纷纷宣布明年将试生产16纳米、14纳米、甚至10纳米制程。


傍上大款了：三星电子与GlobalFoundries达成战略合作
　　前段时间三星电子与GlobalFoundries发表了联合宣布，将共同为客户提供14nm FinFET制造工艺，这种新的14nm FinFET工艺由三星研发，完全授权给GlobalFoundries，将在三星韩国华城、美国德州奥斯汀，GlobalFoundries美国纽约州萨拉托加等三处工厂内同步投入批量生产，彼此共享，这种深度合作在半导体代工历史上还是第一次。

14纳米 FinFET技术带来更低的电压及延迟

什么是FinFET？
　　FinFET称为鳍式场效晶体管，是一种新型的多门3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备 16 纳米或 14 纳米的FinFET 工艺

　　三星电子对外输出技术一来不用独力支撑昂贵的晶圆厂费用，二来可以借助合作扩大影响力；而GlobalFoundries也不用花费大量精力在研发上面了，只要购买技术授权即可，形成资源互补。三星的14nm FinFET工艺基于20nm工艺平台而来，还沿用了20nm上的可靠互连机制，号称最多可带来20％的性能提升、35％的功耗降低、以及15％的面积缩小。

GlobalFoundries直接购买三星电子的技术授权进行生产
　　这种合作形式的最大意义在于，半导体企业如果要使用14nm FinFET工艺，只需要一套设计、验证流程即可在三星、GlobalFoundries的不同工厂内随时投产，而无需像现在那样需要重新设计、流片，大大缩短研发生产周期、降低成本，缓解供货不足的状况。而且考虑到GlobalFoundries一直与AMD关系不俗，未来AMD产品用上14纳米工艺的可能性也非常高。
　　目前，三星、GlobalFoundries已经开始提供基于新工艺的授权、设计套件，计划今年年底投入量产。

台积电：2015年商业化量产16纳米
　　作为芯片代工业的老大，台积电在制程工艺上的改变总是相当有分量。台积电公告称他们目前已经在试产16nm FinFET工艺，商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时，台积电还开发出了改进型的16nm FinFET+工艺，在同样的功耗下性能提高了15%，在同样的频率下功耗则降低了30%，相比20nm工艺则会有40%的速度优势。

台积电的16纳米 FinFET预计在2015年量产
　　台积电预计16nm FinFET+工艺在今年9月份就会完全合格，而且16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则是一样的，客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低，未来转移到16nm FinFET及16nm FinFET+工艺的时间会很快。

作为芯片代工业老大，台积电在制程工艺上的改变总是相当有分量
　　除了16nm FinFET及16nm FinFET+工艺之外，台积电还规划了下下代的制程工艺——10nm FinFET，台积电预计，与16nm FinFET+相比，同样的功耗下10nm FinFET的频率提升25%，而同样的性能下功耗降低45%，晶体管密度则是16nm FinFET+工艺的2.2倍。目前10nm FinFET工艺还在开发中，2015年Q4季度会进行试产。

2015年，芯片制程竞争相当激烈的一年

1x纳米制程工艺之间的竞争将会非常激烈
　　按照这样的时间推算，假如一切顺利的话，2015-2016年高通、NVIDIA、AMD都有可能用上16纳米、14纳米制程，再加上英特尔计划内的14纳米产品，未来半导体领域的“制程竞争”将会相当激烈！

jwiloveyou

应该快到极限值了

14102227

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