5V的GGNMOS最能过HBM 8kV吗？

sandpear · 发表于 2014-7-30 19:29:06

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0.5um 5V普通标准CMOS工艺，在不太计较面积的情况下，例如W=2000um，GGNMOS能过8kV吗? GDPMOS呢？
请高手指点，谢谢！

semi_bamboo · 发表于 2014-7-31 13:39:59

没有试过，
而且A Foundry和B Foundry的工艺和工艺之间不能直接移植ESD方案，不能这样比较，
ESD方案只能对应特定的工艺。
要想有个确定的答案，得建立在该工艺有MOSFET的Snapback model的基础上，仿真！

semico_ljj · 发表于 2014-7-31 17:50:29

和布图，布局相关。
可以达到，倒是不是简单的增加面积。

chenxiaoming · 发表于 2014-7-31 20:11:46

要求这么高？

hszgl · 发表于 2014-8-1 11:11:40

这个要求有点高啊。。。

chengzhiqiang · 发表于 2014-8-4 11:32:01

一般GGMOS能达到4KV就差不多了，要是之后还单纯依靠增加MOS面积来提高ESD比较困难了

shauncc21 · 发表于 2021-12-4 11:24:46

不均匀导通的问题很难线性增加

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