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查看: 4404|回复: 9

[求助] 表面漏电

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发表于 2014-5-26 14:37:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如何去评估一个工艺的表面漏电情况. 具体看工艺文件中的哪个参数呢?
发表于 2014-5-27 22:20:26 | 显示全部楼层
不知道LZ说的"表面漏电"是什么机制?
 楼主| 发表于 2014-6-4 16:08:33 | 显示全部楼层
回复 2# chudong

是指栅氧化层的隧穿效应导致的漏电。理论上这种漏电只在短沟的工艺中(65nm以下)需要评估。可是老师仍然让我去评估,我用.35的工艺。所以不太清楚去看哪些参数。
发表于 2014-6-5 17:09:52 | 显示全部楼层
漏电不看电流看什么?
不过0.35的工艺栅氧应该测不出漏电吧,除非做一个巨大无比的gate。
 楼主| 发表于 2014-6-10 09:12:05 | 显示全部楼层
回复 4# freecore


    我的意思是 去评估工艺的时候,若想评估一下表面漏电,是看工艺文件里的哪个参数。
发表于 2014-6-13 14:46:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 bill66656 于 2014-6-19 12:06 编辑

0.35的工艺多半没写那些参数。你说的工艺文件理解为model card是否既贴切也好用?
起码中芯国际的gate电流参数在0.18中没有,从0.13开始有了,也就说明在提0.13um device参数的时候开始测到可觉察的漏电。
用这个model给一个较大的管子面积和想要的电压偏置仿一下直流工作点,漏电马上就出来了。65nm工艺一般在1nA/um2左右。
发表于 2014-7-4 22:42:48 | 显示全部楼层
0.35um工艺节点在一些特别工艺中也可能存在GOX漏电的问题,比如trench gate工艺的纵向器件,trench顶部易出现GOX过刻的问题,导致GOX漏电严重。通常看IGSS的可靠性评价以及其他关于GOX退化的评价。
 楼主| 发表于 2014-7-16 11:50:51 | 显示全部楼层
回复 7# gravediggaz


    亲,谢谢你。
 楼主| 发表于 2014-7-16 11:51:29 | 显示全部楼层
回复 6# bill66656


    谢谢亲
发表于 2014-12-6 16:54:01 | 显示全部楼层
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