为什么“芯片的集成度提高和内部晶体管数量增大造成电源噪声容限越来越低”？

求人品 · 发表于 2014-4-12 11:19:56

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今天看一篇论文，摘要中有这句话，我知道芯片供电电压的降低会相应的降低电源噪声容限，芯片内集成度的提高会导致集成电路供电电流的增加，可是就是想不明白为什么芯片的集成度提高和内部晶体管数量增大造成电源噪声容限越来越低。菜鸟一枚刚起步，希望各位前辈不吝赐教

求人品 · 发表于 2014-4-12 11:20:35

自己先顶一下

求人品 · 发表于 2014-4-12 11:21:47

顶两下

regitha · 发表于 2014-4-12 16:40:31

从集成电路电源完整性的角度看，在晶体管开关过程中引起的电压波动δU=Z*(n*di/dt).
Z为目标阻抗，di/dt是晶体管开关过程的电流变化率，n为晶体管数量。
那么随着n增大，电源δU增加，电源完整性就差了很多

求人品 · 发表于 2014-4-12 18:37:27

回复 4# regitha

非常感谢你的回复，我知道这个点，我知道晶体管数量增加会引起更大的噪声但是就是不知道为什么会降低噪声容限

求人品 · 发表于 2014-4-12 18:38:29

回复 4# regitha

是不是这句话有问题？因为这篇论文仅仅是一篇硕士毕业论文

yuju · 发表于 2014-4-21 22:59:05

应该是这样去理解，集成路径的缩小可以带来更小的电压应用，随之而产生了更小的电压幅度要求。

sljzyjj · 发表于 2014-5-16 14:14:38

随着晶体管数量增加，一定时间内进行开关的晶体管也增加，使得电源容限越来越低。

cdw1986 · 发表于 2014-6-29 10:08:08

上面的说的很好：
1：工艺越好，管子越多，导致开关数目增多，电源变化加大，电源容限变小
2：一般更好的工艺对应更高的性能要求，如速度加快，这导致更低的电压，及更小的容限

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