功率MOS在关断时的寄生电容

bsaqycx · 发表于 2014-3-17 17:28:23

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功率MOS在关断时的电容该怎么考虑？比如Cgd Cgs？还有形成这两个电容的基理是怎么样的？是gate在D S上的交叠造成的吗？
还有没有Cds了？

heimag08 · 发表于 2014-3-20 14:57:42

坐等大神回复

math123 · 发表于 2014-3-21 19:07:14

Cgd Cdb等是结电容和薄栅氧形成的电容，S和D隔着距离较长的沟道

bsaqycx · 发表于 2014-3-25 09:03:03

我百度了下，发现了这个~~
诸神可以凑合着看看~~
http://bbs.21dianyuan.com/47783.html

小晓有瞌睡 · 发表于 2020-12-3 20:31:35

bsaqycx 发表于 2014-3-25 09:03
我百度了下，发现了这个~~
诸神可以凑合着看看~~
http://bbs.21dianyuan.com/47783.html ...

学习了！

[讨论] 功率MOS在关断时的寄生电容