EEPROM 可测试性设计 MBIST

zhangjirong · 发表于 2014-3-3 09:23:32

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我知道对于RAM、ROM可以使用MBIST进行自测试设计，那么对于EEPROM、FLASH等，能不能如同RAM、ROM一样，设计与之对应的MBIST电路，进行自测试呢？我觉得是可以的，因为EEPROM和FLASH与RAM、ROM一样，属于memory，其测试方法也是按不同的方式写入不同的数据，然后读出，比较是否一致。但是，在网上找不到关于EEPROM和FLASH的可测试性设计方法，在此请教。

anbaosen · 发表于 2018-4-11 15:29:34

这是我的毕业课题，也想请教

林小明 · 发表于 2018-9-4 21:19:15

Use Versa tester or Kalos tester

zhengxiao340 · 发表于 2019-1-7 23:50:12

EEPROM相对简单，可以用MBIST实现。
eFlash一般无法用MBIST实现全部，比如trim。
每家代工厂的制程和fail model都不太一样，不是简单的读写数据。
这玩意不好往网上放啊，可测性方案是真的卖钱的。

elone · 发表于 2019-1-8 17:29:32

EE或者flash的测试, 代工厂都会给详细的测试方法, 要不要做可以自己选

flow2000a · 发表于 2019-1-8 19:04:39

EEPROM 和 flash 没法用MBIST
首先 EEPROM 是烧结后就固定了，所以没法写测试；
flash 的物理结构与RAM ROM 不同，所以也没法MBIST

jiegeng1986 · 发表于 2019-6-28 16:33:11

求学中

dickzen · 发表于 2019-7-1 05:12:06

我试试看

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