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[求助] EEPROM 可测试性设计 MBIST

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发表于 2014-3-3 09:23:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我知道对于RAM、ROM可以使用MBIST进行自测试设计,那么对于EEPROM、FLASH等,能不能如同RAM、ROM一样,设计与之对应的MBIST电路,进行自测试呢?我觉得是可以的,因为EEPROM和FLASH与RAM、ROM一样,属于memory,其测试方法也是按不同的方式写入不同的数据,然后读出,比较是否一致。但是,在网上找不到关于EEPROM和FLASH的可测试性设计方法,在此请教。
发表于 2018-4-11 15:29:34 | 显示全部楼层
这是我的毕业课题,也想请教
发表于 2018-9-4 21:19:15 | 显示全部楼层
Use Versa tester or Kalos tester
发表于 2019-1-7 23:50:12 | 显示全部楼层
EEPROM相对简单,可以用MBIST实现。
eFlash一般无法用MBIST实现全部,比如trim。
每家代工厂的制程和fail model都不太一样,不是简单的读写数据。
这玩意不好往网上放啊,可测性方案是真的卖钱的。
发表于 2019-1-8 17:29:32 | 显示全部楼层
EE或者flash的测试, 代工厂都会给详细的测试方法, 要不要做可以自己选
发表于 2019-1-8 19:04:39 | 显示全部楼层
EEPROM 和 flash 没法用MBIST
首先 EEPROM 是烧结后就固定了, 所以没法写测试;
flash 的物理结构与RAM ROM 不同, 所以也没法MBIST
发表于 2019-6-28 16:33:11 | 显示全部楼层
求学中
发表于 2019-7-1 05:12:06 | 显示全部楼层
我试试看
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