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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › ESD/EOS和latchup(芯片级) › ESD/EOS讨论区 › GCNMOS的反相器需要按ESD rule来画吗？
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查看: 6490|回复: 11

[求助] GCNMOS的反相器需要按ESD rule来画吗？

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Wanqing1988
发表于 2013-12-31 15:30:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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[img]file:///C:\Users\changbing.qin\AppData\Roaming\Tencent\Users\526920125\QQ\WinTemp\RichOle\EXZ5[HACWVNL7[O0I5708~D.jpg[/img][img]file:///C:\Users\changbing.qin\AppData\Roaming\Tencent\Users\526920125\QQ\WinTemp\RichOle\EXZ5[HACWVNL7[O0I5708~D.jpg[/img] QQ图片20131231153158.jpg
如上图这种GCNMOS结构中，Mp1管的源极需要按照ESD规则来画吗？
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zchrb
发表于 2014-1-2 10:59:28 | 显示全部楼层
不需要
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dengxj123
发表于 2014-1-4 16:34:21 | 显示全部楼层
这不是GCNMOS,是GDNMOS(GATE Driven NMOS )
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lucia_wan
发表于 2014-1-7 17:39:59 | 显示全部楼层
这个确实不是GCNMOS，是另外一种ESD结构。
实际layout中，这个反相器一般画的比较远，因为反相器中有pmos容易与ESD nmos latchup。因为远，所以它的作用就跟电路中别的反相器差不多，不需要画ESD结构。
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Buliho
发表于 2014-1-16 09:10:22 | 显示全部楼层
這應該是Clamp的一種吧
MP1/MN1只要照正常MOS layout
MN0不能太小
大小可能需要推導一下
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dengxj123
发表于 2014-1-25 14:03:24 | 显示全部楼层
我看了个电路，它的MN1和MN0是画在一起的，用的都是ESD规则，MP1用的最小规则。
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lisazhao
发表于 2014-1-29 09:30:27 | 显示全部楼层
这个应该都不需要用ESD rule 画吧，MN0有足够大的尺寸，它是正常导通泄放ESD 电流，而不是snapback泄放，
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phase2000
发表于 2014-2-1 18:37:37 | 显示全部楼层
RC clamping structure any transistor don't need follow ESD rule. otherwise the structure have no any benifit to exist.
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shuihun201
发表于 2014-3-6 23:08:46 | 显示全部楼层
源端应该不需要，具体p管可能还是要看你通路中会不会部分从vdd到GND的通路走吧。
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iyahsue
发表于 2014-4-22 13:34:47 | 显示全部楼层
goooooooooooooooooooooooooooooood
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