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[求助] 版图多电源问题求助

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发表于 2013-9-27 09:18:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大神们好!!!    小弟遇到多电源问题,在版图中使用深N阱隔离,但是加深N阱后后仿带隙基准起振,去掉就正常。我现在将深N阱包围的地方用PUSB2标识层换掉,LVS和后仿真正常。
   请问大神们这样可不可以?我们用的是tsmc工艺!
    非常感谢大家能帮帮我!!
发表于 2013-10-7 21:31:51 | 显示全部楼层
多电源也不需要用深NWELL隔离啊,只是不同组的“地”在做LVS时确实需要用PSUB2隔离以示区别,不同电源的PMOS管肯定不能放在同一个NWELL里面,这样是不需要DEEP-NWELL的。
发表于 2013-10-8 09:58:38 | 显示全部楼层
用PSUB2隔离是一个表面的现象,不能够解决问题。后仿发现问题就要解决,看看有没有寄生效应的发生。否则芯片回来有问题就惨了
发表于 2013-10-8 14:26:46 | 显示全部楼层
带隙起振,说明你放入深nwell以后对带隙输出端产生寄生电容。需要去耦,或者用buffer。
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