请教---1.8V NMOS Vgs耐压多大？

saiaoying · 发表于 2013-8-21 11:34:46

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0.18工艺的1.8V NMOS，Vgs加一个脉冲宽度为12ns, 幅度为3.6V的方波时钟信号时，会使该NMOS击穿而损坏吗？如果把幅度减到2.8V呢？

fuyibin · 发表于 2013-8-21 13:53:39

都不行

cyl · 发表于 2013-8-21 14:09:19

不同的工艺是不一样的，你可以咨询代工厂；

xyshsi · 发表于 2013-8-21 15:04:51

与栅氧化层厚度有关，spectre会按1nm耐压1V来计算，但最终保证耐压程度的还是foundry 的测试文件，在PDK中你可以找到相关的文档。

jamesccp · 发表于 2013-8-22 17:56:34

3.6V寿命会很低，2.8V寿命也会下降。
做产品的话，就不能了。

saiaoying · 发表于 2013-8-24 10:38:51

回复 5# jamesccp

看来你是过来人。谢谢，大哥！

lgy747 · 发表于 2013-8-24 16:43:37

3.6V寿命会很低，2.8V寿命也会下降。
做产品的话，就不能了。
jamesccp 发表于 2013-8-22 17:56

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不少人持有这样的观点，所谓寿命和工作电压（栅压）反比关系。你必须列出理论根据，说明机制原理，或者列出实测的实验报告，否则视为主观臆想。

fuyibin · 发表于 2013-8-24 17:05:42

不少人持有这样的观点，所谓寿命和工作电压（栅压）反比关系。你必须列出理论根据，说明机制原理，或者 ...
lgy747 发表于 2013-8-24 16:43

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这是反驳么? 1.8V的device Vgs上3.6V/2.8V肯定不行，要不foundry为什么要规定+10%的power呢？
虽然foundry 会留一定margin，但不至于留这么多，而且应该由reliability的report，自己可以去查一下就知道

fuyibin · 发表于 2013-8-24 17:11:11

0.18工艺的1.8V NMOS，Vgs加一个脉冲宽度为12ns, 幅度为3.6V的方波时钟信号时，会使该NMOS击穿而损坏吗？如 ...
saiaoying 发表于 2013-8-21 11:34

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就这种case有点像esd test时出现的over stress，3.6V差不多是极限了

saiaoying · 发表于 2013-8-25 15:51:03

实际大概的电压响应过程如图所示，其中，v_source1、v_source2详细细节未展开，目的是保证如图所示的电压响应曲线。

1. 最担心的是：如图中所示的时间间隙内开关SW1 Vgs的耐压；
2. 该电路目标是用于论文中的实验性电路。

谢谢各位提供宝贵的意见！

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