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查看: 3678|回复: 5

[求助] 芯片内部的ESD防护如何从版图上解决

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发表于 2013-7-22 20:14:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 我爱喝豆腐脑 于 2022-4-24 10:45 编辑

如题
发表于 2013-7-23 09:55:25 | 显示全部楼层
要注意的东西多了。
发表于 2013-7-25 18:32:05 | 显示全部楼层
回复 1# 我爱喝豆腐脑


    加diode吧。
发表于 2013-7-27 16:38:19 | 显示全部楼层
做了这么多年的ic,我还是不确定这个问题是否有正确答案。什么叫内部的esd?是esd hbm,mm测试时进入芯片内部吗?还是cdm时静电路径实际是从内部衬底开始的?对于前者,我觉得好的esd 设计应该把压力都放在esd cell上,避免有进入内部的可能,否则内部也要考虑各种esd因素,对于大规模的芯片就是一场噩梦。不过现实中做的不好的esd应该也不少,我知道的有小尺寸工艺下,gate很容易被打坏不能直接接,电源域接口的地方容易通路电阻过高,需要局部小esd cell。
发表于 2013-7-27 19:10:44 | 显示全部楼层
use diode
发表于 2013-7-27 22:30:32 | 显示全部楼层
LZ慢慢学吧!里面东西多啊!
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