场氧和栅氧的介电常数分别是多少?

loopgain · 发表于 2013-7-3 15:04:18

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应该不一样吧?

cyl · 发表于 2013-7-3 16:10:04

回复 1# loopgain

应该一样吧，都是SiO2

fuyibin · 发表于 2013-7-3 20:56:16

回复 2# cyl

显然不一样

semico_ljj · 发表于 2013-7-3 21:46:10

我觉得对于老工艺差不多吧 0.5um以上

semico_ljj · 发表于 2013-7-3 21:47:27

新工艺STI 就有区别
氧化层击穿电压很高，氧化层介电常数一般不很重要

cyl · 发表于 2013-7-4 08:53:15

回复 3# fuyibin

愿闻其详……

hszgl · 发表于 2013-7-4 10:34:09

显然不一样。尺寸小点的工艺，栅氧是SiN材料。就算都是SiO2，湿法和干法获得的氧化层致密性不一样，介电常数也不一样。

fuyibin · 发表于 2013-7-4 11:06:39

回复 fuyibin

愿闻其详……
cyl 发表于 2013-7-4 08:53

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现在process中都不是单纯用SiO2的，需要用到氮氧化硅的各种介质层
还有一点就是现在有high-K, low-K 工艺，
gate 用high-k，使其物理厚度增大，等效栅氧减小
上层metal的isolation 用low-k，使得寄生电容减小
需要detail information 去查 foundry的document

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