紧急求助关于电容问题

stone1005 · 发表于 2013-5-10 16:36:03

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如上图的结构，要评估Vctrl变化的时候Vctrl到gnd的电容的大小变化，请帮忙说明下...

个人觉得当Vctrl小于阈值的时候，存在PN结电容和MOS电容。大小为Cpn+Cox。
当Vctrl大于阈值的时候，形成反型层，PN结电容面积增加，但是MOS电容迅速减小...
当Vctrl达到一定值，MOS电容接近0，只剩下PN结电容的最小值。这样分析有什么问题吗？
谢谢了！

stone1005 · 发表于 2013-5-10 16:40:59

另外，电容大小如何评估？简单计算Cpn+Cox？差了些资料，好像实际电容最大值远小于Cox，什么原因？谢谢了！！

吾老公 · 发表于 2013-5-10 22:46:43

这个管子一头p一头n？

stone1005 · 发表于 2013-5-12 17:20:14

回复 3# 吾老公

其实构不成管子，因为S和D不能导通。确实一端是N，一端是P，另外接sub的P+可以不要。做电容用的。

semico_ljj · 发表于 2013-5-12 22:18:37

好像没见过！有人来解答吗

fuyibin · 发表于 2013-5-12 22:31:07

回复 1# stone1005

没见过这么古怪的东西，怎不知道有什么用
diode 电容很小，gate 电容要在积累区
而且这样的东西不好制造

吾老公 · 发表于 2013-5-13 05:11:41

无法想象有人这样做电容，有什么好处？

stone1005 · 发表于 2013-5-13 09:47:12

回复 6# fuyibin

就电容值来讲，这个结构电容值确实非常小。结构做起来应该问题不大，只是性能不好评估。
做这个结构是因为特殊需要，本身可以作为可变电容，他的最大值和最小值的比值很大，可以达到6甚至更大。
其它结构只能在3左右。还有种常用结构是做在nwell里面的，只是应用条件不允许，那个结构用的多些...

stone1005 · 发表于 2013-5-13 09:50:28

回复 6# fuyibin

实际使用的时候基本上会跳过累积区，这个电容太大，和后面的电容值比变化剧烈...查过一些资料，这种结构没查到有人用过，所以不知道考虑的是否周全。另外，最好能做个参数评估，哪怕是定性的...

hszgl · 发表于 2013-5-13 10:35:49

有意思的结构，持续关注~

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