一些模拟cmos集成电路的初级问题

bang0306 · 发表于 2013-3-6 19:43:33

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扎拉维cmos集成中的截图 P45 ]R8G$OM{])Y1C6LMZ~(}DOP.jpg

直观怎么解释阻抗变小呢？考虑体效应，阈值电压会增大，同样的Vx，由Id的公式，可知Ix会变小，阻抗应该是变大了才对啊？

JoyShockley · 发表于 2013-3-6 20:49:43

直观看源级电阻是三个电阻并联：1/gm，ro，1/gmb。注意：是小信号模型，体效应导致新增加一个电流源。建议楼主仔细理解考虑体效应后的小信号模型，尤其是新增压控电流源的方向

nan123chang · 发表于 2013-3-7 08:52:02

回复 1# bang0306

书中说的是考虑体效应和没有考虑体效应之间的小信号阻抗对比，考虑体效应后，MOS管SOURCE端施加同样的小信号电压，引起的小信号电流增加了，所以看到的阻抗减小

huang1986 · 发表于 2013-3-7 13:22:21

3楼是正解，电流增大，所以看进去的电阻就减小了。

JoyShockley · 发表于 2013-3-7 14:50:15

难道你们看不出来这种接法，所谓的电流源已经退化成了电阻吗？本来是 1/gm与1/ro并联，现在是三个电阻并联。还所谓正解，搞笑

bang0306 · 发表于 2013-3-7 16:09:32

回复 5# JoyShockley 我觉得你们说得都对，不矛盾吧，你的意思是把体效应的作用当成受控电流源，但这个电流源两端就是控制电源，所以可以看成一个电阻，完了和原来的输出电阻并联导致总阻抗变小，3楼的好像说了下效果，没说具体原因，所以应该都对吧，不管怎样谢谢你们，对了，我说的对吧？

cliassh · 发表于 2013-3-7 21:38:23

2楼和3楼说得都对啊，只不过2楼讲得更细。

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