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[转载] 三星首款14nm FinFET芯片试产成功!

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发表于 2012-12-25 20:45:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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韩国三星日前宣布自己刚刚创下了一个新的里程碑。在官方声明中三星表示他们已经成功的试产了14nm FinFET芯片,并与ARM签署了一份有关14nm芯片的Physical IP库共享协议。


                               
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不久后14nm制程技术将作为接班人取代目前的22nm工艺,14nm FinFET技术将是未来发展的方向,它可以有效的提升电子装置的效能,并降低耗电量。同时三星的一位高级副总裁也指出,14nm工艺芯片的设计非常复杂,它需要工艺技术、设计方法、工具和IP之间的百分之百的完美契合。而三星就是同步了所有的这些关键元素,才可以为用户提供最快速有效的新产品。
这一次,三星不仅成功的研发了一些基于14nm FinFET工艺车市处理芯片,还和包括ARM、Cadence、Mentor以及Synopsys在内的合作伙伴共同完成了“全ARM Cortex-A7处理器”以及其他一些14nm工艺芯片的研发测试工作。
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