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[解决] 反向bandgap遇到了一种未知器件,特来请教,谢谢!(内图请进)

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发表于 2012-11-24 17:05:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 math123 于 2012-11-27 02:55 编辑

第一张图片是poly层的照片,标出了普通NMOS PMOS和未知器件,在衬底上可以看出三种器件的不同。

过往的经验是P掺杂接近褐色,N掺杂接近白色,

未知的器件有点像NMOS,但是沟道区的颜色比起普通NMOS显白色,请问可能是什么器件啊?谢谢!
器件.jpg
衬底.jpg
发表于 2012-11-24 17:55:58 | 显示全部楼层
这个可一个根据电链接关系去判断吧,或者根据电路结构吧
发表于 2012-11-24 19:04:10 | 显示全部楼层
Cap???
发表于 2012-11-24 22:34:42 | 显示全部楼层
應該是depletion NMOS,其Vth是負值!
发表于 2012-11-25 08:01:20 | 显示全部楼层
看不懂
 楼主| 发表于 2012-11-25 15:14:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2012-11-25 15:23 编辑


Cap???


应该不是,栅极是和漏极接在一起的


这个可一个根据电链接关系去判断吧,或者根据电路结构吧


电路未提出来,没搞明白这种器件,所以感到迷惑



从你提取出来的电路上看,未知器件的栅接的是什么电位?


栅极的接法如下图所示,都是接地的,通过未知器件产生一个电流,这个电流留过其它电路产生基准,
看起来原理有点像利用漏电流,如果用的是DB的反向二极管电流,如果叠三个管子,
电流就会从最上面的那个未知管子的漏极流向衬底了,而不是流过三个管子



耗尽型NMOS管



應該是depletion NMOS,其Vth是負值!



多谢大大们指点!


unknow_device.png
发表于 2012-11-25 16:46:01 | 显示全部楼层
沒錯就是depletion NMOS,充當Current source用!
发表于 2012-11-25 18:29:05 | 显示全部楼层
我是来学习的,呵呵
发表于 2012-11-25 21:26:17 | 显示全部楼层
反向的是日本人的芯片?他们好这口
发表于 2012-11-25 22:01:48 | 显示全部楼层
恩,应该是耗尽型NMOS
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