Globalfoundries的14nm节点仅「小幅微缩」

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GlobalFoundries打算在2014年开始量产14XM FinFET制程，该制程旨在降低功耗，但就尺寸来看，与20nm平面块状矽CMOS制程相比，新制程所能减小的晶片尺寸非常少，甚至根本没有减少。

Globalfoundries下一代制程名为XM ，意指极高的迁移性，也表示该公司将能提供更先进的性能和功耗。其功耗优势在于有功功率消耗可减少40%~60%，Chian表示。

仅仅在启动20nm CMOS制程后一年，Globalfoundries就积极导入14XM 节点，这也是该公司首次部署鳍状电晶体。然而，要做到这一点，该公司要使用与其20LPM制程相同的中间和后端金属，而且用FinFET来取代平面电晶体。为了缓解客户的上市压力，Globalfoundries也使用了可移植的IP模组，而用于14XM制程的这些模组往往与用在20LPM制程中的有着相同的面积。

Globalfoundries 设计开发副总裁Mojy Chian表示，这将让开发人员尽可能地在早期设计就开始使用。这种策略将使晶片制造领域跳脱过去仅依循晶片尺寸微缩和节省成本的发展路线，进而驱动整个产业转型。“价值主张在于功耗及性能，而非尺寸，”Chian说。他接着表示，“快速地转移，是新制程最重要的一个部份。”

但他也指出，与20nm平面电晶体相比，由于FinFET的电流驱动强度将会增加，因此设计师或许可以选择重新合成设计，并针对某些特定设计从设计库中选用较小尺寸的单元。他表示，使用尺寸不同的单元某种程度上也有助于减小尺寸。

Chian对于导入14XM制程深具信心，并表示该制程不必等待超紫外光(EUV)微影技术。他表示，“其后端与20LPM相同。它们都能用双重图案来完成。”

英特尔是率先推出使用FinFET的22nm 商业化制程公司。然而，该制程一直被批评为仅提供单一电晶体的阈值电压，这将限制设计人员，而且也并非真的寻求降低功耗的方法。但英特尔已宣布，2013年该公司将量产采用第二代22nm FinFET制程的元件。

Chian 则表示，14XM将让设计人员更容易使用。“我们计划提供多阈值电压。我们不希望有任何设计限制。不过，VT会被量化，设计人员必须体认到这一点。”

其竞争对手台积电(TSMC)也预计在16nm节点采用FinFET。

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看起來還是得等待EUV微影技術的成熟,才更具有量產價值了.

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