在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 5132|回复: 6

[求助] LDO中p输入管运放和n输入管运放的优劣对比

[复制链接]
发表于 2012-9-14 15:35:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
QQ截图未命名.png
发表于 2012-9-15 22:31:52 | 显示全部楼层
PMOS调整管的栅偏置电压为低电平,是否采用P管输入方便些,也有利于减小P调整管面积。仅供参考。
发表于 2012-9-15 23:01:44 | 显示全部楼层
这是以前面试的老提
发表于 2012-9-16 03:01:43 | 显示全部楼层
也可以从PSRR角度考虑,可以看Mora的那本LDO的书
发表于 2023-5-5 09:47:46 | 显示全部楼层


microstudent 发表于 2012-9-16 03:01
也可以从PSRR角度考虑,可以看Mora的那本LDO的书


是哪本书?

发表于 2023-5-5 11:05:48 | 显示全部楼层
PMOS 差分输入,1/f噪声小
发表于 2023-5-5 11:25:17 | 显示全部楼层
功率管为PMOS时,选择NMOS做输入对管好一点。因为第一级的输出直流工作点与功率管的输入直流工作点需要做匹配,如果不匹配,当电源电压波动时,会产生误差。造成输出电压偏移。
如果不考虑功率管的MOS类型,PMOS输入对管好一点。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-27 13:50 , Processed in 0.024223 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表