SMIC工艺里面，这几种mos管，有什么区别。

tiancai3385 · 发表于 2012-7-4 15:36:19

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// *       *--------------------------------------*
// *       |    mosfet type |  1.8v  |  3.3v  |
// *       |======================================|
// *       |       nmos       | n18  | n33  |
// *       *--------------------------------------*
// *       |       pmos       | p18  | p33  |
// *       *--------------------------------------*
// *       | native nmos    |  nnt18 | nnt33  |
// *       *--------------------------------------*
// *       | medium nmos    | nmvt18 | nmvt33 |
// *       *--------------------------------------*
// *       | medium pmos    | pmvt18 |  ----  |
// *       *--------------------------------------*

fuyibin · 发表于 2012-7-4 15:56:43

顾名思义，vt不同

shuishishui · 发表于 2012-7-5 16:12:23

恩，就是vt不同，然后18表示应用在VDD是1.8V的设计中，33表示3.3V
比如n18或p18是最常用的，表示normal vt nmos管或则pmos管
medium就是medium vt 的管子
这些在PDK的文档里都有解释的

tiancai3385 · 发表于 2012-7-6 11:29:33

回复 4# shuishishui

谢谢。PDK里面，还是不是很详细。我不懂n18（nominal VT 标称阈值），nnt18（native NMOS）有什么用啊。还有medium VT，这些不同型号的mos模型，应用领域有啥区别。

shuishishui · 发表于 2012-7-6 20:17:15

回复 5# tiancai3385

可能你现在还没遇到使用非正常Vt晶体管的情况，正常1.8V供电电路都是使用n18或p18的管子，在某些特殊情况，比如你希望管子很容易开启，那就要选择低阈值的管子，这样Vgs就更容易超过Vt。各种不同型号管子的Vt具体有多少你仿真一下就知道了。

cheetahxun · 发表于 2012-7-8 15:27:09

native device 是没有经过离子注入调整Vt的，Vt接近于0V，在对headroom要求很苛刻的时候可以考虑使用。但是这种管子的leakage很大，variation也比较大，所以关键电路中需谨慎使用。

薛定谔的太极拳 · 发表于 2012-7-8 22:24:39

学习了

bbbenjamin · 发表于 2012-7-9 00:56:03

回复 6# shuishishui

这些东西pdk的手册里面没有哦学习了还请您就这些不同类型的管子的特点再多讲一些吧
虚心求教

Charless · 发表于 2014-6-28 23:37:36

学习了

xiaobaiyangESD · 发表于 2015-5-4 14:45:26

NATIVE是零阈值管在IO用于特殊场合例如IO中的level UPshifter

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