请教同一LNA芯片，两种封装直流电流不同

mk2003 · 发表于 2012-4-13 10:26:25

我认为，直流偏置的差异与电容和电感无关，不同封装会有那么大的差距一有可能是本身片子差异，
二就是不同封装应力不同造成的，3就是如果楼主电路的偏置电流本身是随电源电压变化（非二阶效应）。那封装绑线的等效电阻会有一定影响。

gibsonmpf · 发表于 2012-4-13 10:26:45

关于第二个问题，我是用HFSS建模整个电路，包括PCB，封装，芯片。然后在ADS中拟合出来的电感两端并联两个电容的模型。
第三个问题，如果没有背孔工艺，你的芯片背面就不是地啊，就要通过bond wire引出。如果芯片不是地，存在那么大的电阻也是可以理解的。你用的是HHNEC的SiGe工艺吧，感觉现在IBM和TOWERJAZZ的SIGe应该都有TSV了。

我的Q：101829910，有些问题想多交流一下

gibsonmpf · 发表于 2012-4-13 10:32:00

关于第二个问题，我是用HFSS建模整个电路，包括PCB，封装，芯片。然后在ADS中拟合出来的电感两端并联两个电容的模型。
第三个问题，如果没有背孔工艺，你的芯片背面就不是地啊，就要通过bond wire引出。如果芯片不是地，存在那么大的电阻也是可以理解的。你用的是HHNEC的SiGe工艺吧，感觉现在IBM和TOWERJAZZ的SIGe应该都有TSV了。

zhifj86 · 发表于 2012-4-13 10:37:32

之前有过片上SGS测试，电流也在7mA左右，但测试S参数与预期偏差也比较大，在测试时两个地可能不等电势，一个连接在网分的地，另一个是给加了一个0V电压。

lijin27384772 · 发表于 2012-4-16 15:13:13

corner 的影响，同一个wafer上面，造出来也有corner的影响的

cai2010 · 发表于 2021-8-8 13:12:12

zhifj86 发表于 2012-4-13 09:35
回复 4# gibsonmpf

可以通过仿真获取金线阻抗，提取阻抗虚部，反推得出电感值

[求助] 请教同一LNA芯片，两种封装直流电流不同

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