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[原创] 减小VDMOS的Cgd米勒电容和反向恢复电荷

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发表于 2012-4-4 14:54:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 nwpuzhoukun 于 2012-4-4 15:09 编辑

分享一篇中文文献,关于减小VDMOS的米勒电容和反向恢复电荷。对于研究功率MOS,特别是VDMOS的朋友,一起共享一下,欢迎交流

实际上 ,DC2 DC变换器设计师最为关心的既不是单纯的导通损耗 ,也不仅仅是开关损耗 ,而是导通电阻与栅电荷的乘积。因此 ,针对 DC2 DC变换器应用 ,本文提出了一种结合肖特基接触和分段多晶硅栅的 VDMOS新结构 ,以获得更好的器件优值FOM=(Qgd*Ron )
减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究.pdf (210.69 KB, 下载次数: 294 )
发表于 2012-5-22 22:07:43 | 显示全部楼层
谢谢分享,呵呵
发表于 2012-5-22 22:08:21 | 显示全部楼层
谢谢分享,写的不错,但是不知道效果如何
发表于 2012-5-26 11:51:26 | 显示全部楼层
感謝分享!~
发表于 2013-2-1 14:37:58 | 显示全部楼层
Thanks a lot!!
发表于 2013-3-16 00:49:02 | 显示全部楼层
回复 1# nwpuzhoukun


    说的不尽然,在dcdc convertor中,ls的损耗主要是conduction loss,而hs才是switching loss.

fom在不同应用中的则中也是不同的。
发表于 2014-3-24 14:55:06 | 显示全部楼层
谢谢分享!!
发表于 2015-2-7 14:11:56 | 显示全部楼层
不错..
发表于 2015-2-9 21:44:21 | 显示全部楼层
kankan
发表于 2015-2-11 21:24:59 | 显示全部楼层
对方会加快了科技和规范的撒的分工会尽快离开家合格分多少
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