减小VDMOS的Cgd米勒电容和反向恢复电荷

nwpuzhoukun · 发表于 2012-4-4 14:54:34

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本帖最后由 nwpuzhoukun 于 2012-4-4 15:09 编辑

分享一篇中文文献，关于减小VDMOS的米勒电容和反向恢复电荷。对于研究功率MOS，特别是VDMOS的朋友，一起共享一下，欢迎交流

实际上 ,DC2 DC变换器设计师最为关心的既不是单纯的导通损耗 ,也不仅仅是开关损耗 ,而是导通电阻与栅电荷的乘积。因此 ,针对 DC2 DC变换器应用 ,本文提出了一种结合肖特基接触和分段多晶硅栅的 VDMOS新结构 ,以获得更好的器件优值FOM=(Qgd*Ron )

减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究.pdf (210.69 KB, 下载次数: 293 )

yangqian502 · 发表于 2012-5-22 22:07:43

谢谢分享，呵呵

yangqian502 · 发表于 2012-5-22 22:08:21

谢谢分享，写的不错，但是不知道效果如何

frog007 · 发表于 2012-5-26 11:51:26

感謝分享!~

wtqcf11 · 发表于 2013-2-1 14:37:58

Thanks a lot!!

ukinfo · 发表于 2013-3-16 00:49:02

回复 1# nwpuzhoukun

说的不尽然，在dcdc convertor中，ls的损耗主要是conduction loss，而hs才是switching loss.

fom在不同应用中的则中也是不同的。

ghost08 · 发表于 2014-3-24 14:55:06

谢谢分享！！

shanquan_2012 · 发表于 2015-2-7 14:11:56

不错..

chenxiaoming · 发表于 2015-2-9 21:44:21

kankan

chengzhenjun · 发表于 2015-2-11 21:24:59

对方会加快了科技和规范的撒的分工会尽快离开家合格分多少


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