器件的过压问题

kuoyu2006 · 发表于 2012-2-29 18:21:50

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CSMC .5um的工艺，手册上5V低压器件NMOS和PMOS的承压能力标注最低为9V，想问下是否说明器件工作在9V以下都是安全的，那为什么给出的测试特性，输出电流能力等都是在5V情况下，如果器件一直工作在接近9V情况下会影响到器件寿命吗？

fuyibin · 发表于 2012-2-29 20:17:01

会有影响的，有可能栅氧可以耐压到9V，但source/drain punchthrough，或者breakdown

mixasic · 发表于 2012-2-29 20:18:45

不能一直工作的远高于5V而低于9V的电压下，承受电压应该是说期间被击穿的最小电压，是安全工作区的极限情况，最好还是按照5V设计吧

xyyyhtld0 · 发表于 2012-2-29 20:21:28

过驱动电压加的时候有一个范围吗，比如说在阈值电压在5V时，那么加的时候得加到多少呢！

hezudao · 发表于 2012-2-29 21:09:46

9可能没击穿，性能就没保证了

kuoyu2006 · 发表于 2012-3-1 10:54:33

补充一下，栅氧击穿电压最低为15V,如果我只作为驱动管来用，不考虑器件线性的问题呢？

我认为正常工作不会有太大问题，但是是否器件寿命会大打折扣？

chenkai_kk · 发表于 2012-3-1 13:00:55

寿命肯定有问题。寿命有个计算式的，具体怎么算我不在行，但是温度越高，电压越高，寿命是貌似呈指数下降的。所以一般有个BURN IN测试，在这个条件下测试寿命比较可行，测完了用公式推算正常工作寿命。否则那什么5年10年的工作时间谁受得了。

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