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楼主: gaitinglong

[求助] sentaurus ggnmos snapback现象

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发表于 2011-12-18 18:07:29 | 显示全部楼层
Solve {
*- Creating initial guess:
Coupled(Iterations= 100 LineSearchDamping= 1e-4){ Poisson }
Coupled { Poisson Electron Hole }
  
Continuation(
  Name="drain"
  Normalized   
  Increment= 1.1
  Decrement= 2.0
  InitialVstep= 0.01
  Incrementangle= 20
  Decrementangle= 40
  MaxVoltage= 10
  MinVoltage= 0
  MaxCurrent= 1e-7
  MinCurrent= 0.0
  Iadapt= 1e-13
    )笀 Coupled { Poisson Electron Hole紀 }
}


试试这个
发表于 2011-12-19 13:11:41 | 显示全部楼层
软件仿的???
 楼主| 发表于 2011-12-19 19:46:34 | 显示全部楼层
回复 11# woaijoyce


    您好!
            感谢你的回答。用了continuation求解后,还是得出与前面solve类似的曲线。所以我觉得我sdevice部分physics所加的模型有点问题。现在准备把能加的模型再加一遍。
 楼主| 发表于 2011-12-20 17:53:16 | 显示全部楼层
回复 11# woaijoyce


  哥们你好:
              能告我你跑二次击穿加了哪几个模型吗?谢谢!
 楼主| 发表于 2011-12-22 16:07:41 | 显示全部楼层
救命啊,有没有人会啊?:'(
发表于 2011-12-22 18:57:47 | 显示全部楼层
你的程序里的physic 和math没问题, 有问题的可能是你结构。 二次击穿是横向的BJT触发而击穿,如果纵向先击穿,那二次击穿就发生不了了
 楼主| 发表于 2011-12-22 21:56:21 | 显示全部楼层
回复 16# woaijoyce


    您好:
           非常感谢你的回答!三番两次的麻烦你真是不好意思。
           我的输出和转移特性曲线都没问题,因此我觉得我的结构理论上不会出问题的。
           我都快愁死了,这个问题纠结了我两个礼拜了。
 楼主| 发表于 2011-12-24 09:44:15 | 显示全部楼层
经过几天的摸索,终于做出来了。谢谢帖友 woaijoyce  的指点。
现在把经验证没问题的程序贴上来,以供后来者学习。
SDE部分:
(sdegeo:create-rectangle (position -0.27 1 0.0) (position 0.27 0.05 0.0)   "Silicon" "region_1")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.27 0 0.0) (position -0.03 0.05 0.0)   "Silicon" "region_2")
(sdegeo:create-rectangle (position 0.03 0 0.0) (position 0.27 0.05 0.0)   "Silicon" "region_3")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.03 0.05 0.0) (position 0.03 0 0.0)   "Silicon" "region_4")

(sdegeo:create-rectangle (position -0.03 -0.102 0.0) (position 0.03 -0.002 0.0)   "PolySi" "region_7")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.1 -0.102 0.0) (position -0.03 -0.002 0.0)   "Si3N4" "region_61")
(sdegeo:create-rectangle (position 0.1 -0.102 0.0) (position 0.03 -0.002 0.0)   "Si3N4" "region_62")
(sdegeo:create-rectangle (position -0.1 0 0)  (position 0.1 -0.002 0) "SiO2" "region_5" )

(sdegeo:define-contact-set "s" 4  (color:rgb 1 0 0 ) "##" )
(sdegeo:define-contact-set "d" 4  (color:rgb 0 1 0 ) "##" )
(sdegeo:define-contact-set "g" 4  (color:rgb 0 0 1 ) "##" )
(sdegeo:define-contact-set "sub" 4  (color:rgb 1 0 0 ) "##" )
(sdegeo:define-2d-contact(list (car (find-edge-id (position -0.185 0 0)))) "s")
(sdegeo:define-2d-contact(list (car (find-edge-id (position 0.185 0 0)))) "d")
(sdegeo:define-2d-contact(list (car (find-edge-id (position 0 1 0)))) "sub")
(sdegeo:set-current-contact-set "g")
(sdegeo:set-contact-boundary-edges (list (car (find-body-id (position -0.002 -0.05 0)))) "g")
(sdegeo:delete-region (list (car (find-body-id (position -0.002 -0.05 0)))))

(sde:define-parameter "fillet-radius" 0.08 0 0 )
(sdegeo:fillet-2d (list (car (find-vertex-id (position -0.1 -0.102 0))))0.08)
(sdegeo:fillet-2d (list (car (find-vertex-id (position 0.1 -0.102 0))))0.08)


(sdedr:define-constant-profile "ConstantProfileDefinition_2" "PhosphorusActiveConcentration" 1e+20)
(sdedr:define-constant-profile-region "ConstantProfilePlacement_2" "ConstantProfileDefinition_2" "region_2")
(sdedr:define-constant-profile "ConstantProfileDefinition_3" "PhosphorusActiveConcentration"  1e+20)
(sdedr:define-constant-profile-region "ConstantProfilePlacement_3" "ConstantProfileDefinition_3" "region_3")

(sdedr:define-constant-profile "ConstantProfileDefinition_1" "BoronActiveConcentration" 1.5e+18)
(sdedr:define-constant-profile-region "ConstantProfilePlacement_1" "ConstantProfileDefinition_1" "region_1")
(sdedr:define-constant-profile "ConstantProfileDefinition_4" "BoronActiveConcentration" 1.5e+18)
(sdedr:define-constant-profile-region "ConstantProfilePlacement_4" "ConstantProfileDefinition_4" "region_4")


(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_region_1" 0.25 0.2 0.01 0.001)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_region_1" "RefinementDefinition_region_1" "region_1" )
(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_region_4" 0.0025 0.025 0.002 0.02)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_region_4" "RefinementDefinition_region_4" "region_4" )

(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_2" 0.01 0.02 0.004 0.02)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_2" "RefinementDefinition_2" "region_2" )
(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_3" 0.01 0.02 0.004 0.02)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_3" "RefinementDefinition_3" "region_3" )

(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_5" 0.1 0.01 0.01 0.001)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_5" "RefinementDefinition_5" "region_5" )
(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_region_61" 0.25 0.2 0.01 0.001)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_region_61" "RefinementDefinition_region_61" "region_61" )
(sdedr:define-refinement-size "RefinementDefinition_region_62" 0.25 0.2 0.01 0.001)
(sdedr:define-refinement-region "RefinementPlacement_region_62" "RefinementDefinition_region_62" "region_62" )







(sdeio:save-tdr-bnd(get-body-list)"n@node@_bnd.tdr")
(sde:save-model"/home/gaitl/STDB/tmp/ggnmos2")
(sdedr:write-cmd-file"n@node@_msh.cmd")
(system:command"noffset3d n@node@_msh")
(sde:build-mesh "mesh""-s""n@node@_msh")
SDEVICE部分:
File {
*Input Files
Grid = "@grid@"
Doping="@doping@"
Parameter="@parameter@"
* Output Files
Plot= "@tdrdat@"
Current="@plot@"
Output= "@log@"
}
Electrode {
{ Name="s" Voltage=0.0 }
{ Name="d" Voltage= 0 }
{ Name="g" Voltage=0}
{ Name="sub" Voltage= 0.0}
}
Thermode{
          {name="sub" Temperature=300 SurfaceResistance=0.01}

  }  

Physics {
         
       Recombination (
             SRH
            
             Auger
               Avalanche(Okuto)
        )
        Mobility (
                 DopingDependence
                 Enormal
                 HighFieldSaturation
                 PhuMob
        )
Hydrodynamic(hTemperature)
  
}


Plot{
  
*--Density and Currents, etc
   eDensity hDensity
   TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
   eMobility hMobility
   eVelocity hVelocity
   eQuasiFermi hQuasiFermi

*--Temperature
   eTemperature Temperature*hTemperature

*--Fields and charges
   ElectricField/Vector Potential SpaceCharge

*--Doping Profiles
   Doping DonorConcentration AcceptorConcentration

*--Generation/Recombination
   SRH Auger * Band2Band  
   AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration

*--Driving forces
   eGradQuasiFermi/Vector hGradQuasiFermi/Vector
   eEparallel hEparallel eENormal hENormal

*--Band structure/Composition
   BandGap
   BandGapNarrowing
   * Affinity
   ConductionBand ValenceBand
   * eQuantumPotential hQuantumPotential
   eQuantumPotential
*--Gate Tunneling
   * eBarrierTunneling hBarrierTunneling  BarrierTunneling
   * eDirectTunnel hDirectTunnel
}


Math {
DrForceRefDens= 1e12
   Extrapolate
   Digits=6
   Notdamped= 50
   Iterations= 15
   CNormPrint
   ErrRef(electron) = 1e5
   ErrRef(hole)     = 1e5
  }

Solve {
*- Creating initial guess:
   Coupled(Iterations= 100 LineSearchDamping= 1e-4){ Poisson }
   Coupled { Poisson Electron Hole hTemperature}

   
Continuation(
  Name="d"
  Normalized   
  Increment= 1.1
  Decrement= 2.0
  InitialVstep= 0.01
  Incrementangle= 20
  Decrementangle= 40
  MaxVoltage= 20
  MinVoltage= 0
  MaxCurrent= 0.1
  MinCurrent= 0.0
  Iadapt= 1e-11
    ){ Coupled { Poisson Electron Hole  hTemperature}}

  
}
发表于 2012-1-30 21:58:54 | 显示全部楼层
学习来了
发表于 2012-2-17 17:35:30 | 显示全部楼层
谢谢 这几天仿真程序老不收敛。。我以为是软件问题。。原来是没有用continue这个语句。。谢谢。。我再试试。。
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