关于P+注入包围有源区的问题讨论

cw佛学 · 发表于 2011-11-1 19:55:40

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

在N阱中包围着P+注入，P+注入包围着有源区。在版图中，P+注入、N+注入是为了区分注入的导电类型。那在工艺中，P+注入这一在版图中的显示会制作成掩膜板吗？如果做的话，它在工艺中起什么作用呢？
请各位大侠，指导指导啊！！！

王者归来归王者 · 发表于 2011-11-2 14:44:08

给你推荐两本书版图的艺术半导体制造技术你看看就知道了

jeffcui18 · 发表于 2011-12-29 21:56:49

你不注入哪里来离子

guoweiqust · 发表于 2011-12-30 22:39:01

我也是新手，这个东西看看半导体工艺基础立马明了的

icfbicfb · 发表于 2011-12-31 17:54:27

当然有了

从mask来说， SP , SN 是分开的 2层mask，
比如smic的 198和 197(好像是，不记得了）

而且nwell和 pwell（通常是not nwell）也是有mask的，
high voltage nwell和 high voltage pwell也是，

2hen · 发表于 2012-1-9 19:13:45

当然有掩模板啊。
如果没有这些注入，怎么形成不同的器件呢？读书才是王道，模拟电路版图的艺术好像还是一本不错的书。

2hen · 发表于 2012-1-9 19:14:38

当然有掩模板啊。
如果没有这些注入，怎么形成不同的器件呢？读书才是王道，模拟电路版图的艺术好像还是一本不错的书。

loopgain · 发表于 2012-1-10 18:35:32

一般会做成mask

jr3749352123 · 发表于 2013-5-12 13:34:08

学习了！

陈杰flight · 发表于 2015-12-10 13:11:19

离子注入需要掩膜板，因为要在选定的区域注入

[原创] 关于P+注入包围有源区的问题讨论